DB하이텍이 초고전압(UHV) 전력반도체 사업을 본격 확대해 나가겠다는 뜻을 27일 밝혔다.
DB하이텍은 게이트 드라이버 IC의 설계·제조를 지원하는 초고전압 전력반도체 공정 기술을 최근 업그레이드했다. 레벨 시프터(Level-Shifter) 절연방식과 갈바닉(Galvanic) 절연방식을 동시에 사용할 수 있게 됐다. 레벨 시프터 방식은 칩 설계가 용이하고 갈바닉 방식은 안전성이 높다.
DB하이텍은 기존의 가전 분야에서 자동차, 태양광 분야로 공정이 확장될 것으로 기대한다고 밝혔다. 향후 실리콘 전력반도체에서 구현할 수 있는 전영역대에 대한 공정 기술을 확보하면서, 응용분야별로 최적화된 게이트 드라이버 IC 설계 환경을 제공할 계획이다.
DB하이텍은 지난 5월 업계 최초로 시스템 에어컨 등의 고출력 컴프레서에 적용할 수 있는 900V급 레벨 시프터를 제공한 바 있다. 내년에는 1월 가전에 최적화된 600V급 공정을 제공하고, 연내 전동킥보드 및 전기스쿠터용 200V급 공정과 방직기 및 공업용 1200V급 공정까지 확보하며 초고전압 전력반도체 경쟁력을 강화한다는 목표다.
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